nmos管工作原理

NMOS管工作原理

# 基本结构

源极（S） ：连接到电源或地（取决于应用）。

漏极（D） ：连接到负载或另一个电路。

栅极（G） ：控制器件导通与截止的电极。

衬底（B） ：通常与源极相连，形成N沟道。

# 工作原理

导通条件 ：当栅极-源极电压（VGS）大于开启电压（Vth）时，N沟道形成，漏极电流（ID）可以通过。

截止条件 ：当VGS小于Vth时，N沟道消失，漏极电流截止。

导通电阻 ：VGS电压越高，导通电阻（Ron）越小。

# 应用

低端驱动 ：源极接地，适合使用NMOS作为下管。

开关应用 ：在开关电源中，NMOS管可以用于执行开关功能。

# 注意事项

VGS电压不能超过芯片允许的极限电压。

在正常工作时，漏极电流等于源极电流，通过改变VGS电压控制漏极电流。

# 符号表示

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